Die Tochtergesellschaft der University of Cambridge entwickelte eine neue Art von porösem GaN-Halbleitermaterial

Jul 19, 2021

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Am 24. Juni gab Porotech, eine Tochtergesellschaft der University of Cambridge und Entwickler von GaN Micro LED-Materialien, bekannt, dass es 3 Millionen Pfund (ca. 26,9 Millionen RMB) an Finanzmitteln gesammelt hat, die zur Förderung der Entwicklung seiner nächsten Stufe der Micro-LED-Produktionstechnologie verwendet werden.

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Berichten zufolge hat Porotech eine neue Art von porösem GaN-Halbleitermaterial entwickelt und behauptet, dass das neue Material im Vergleich zu bestehenden Materialien eine verbesserte Leistung aufwies. Basierend auf dem einzigartigen Verfahren von Porotech können R/G/B-LEDs mit demselben GaN-Material hergestellt und auf einem einzigen Wafer integriert werden.

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Obwohl Porotech im Januar 2020 von der Cambridge University ausgegliedert wurde, hat das Unternehmen in den letzten 10 Monaten Umsatz generiert und gemeinsam mit einigen globalen Herstellern Display-Technologien der nächsten Generation entwickelt.


In den frühen Tagen der Gründung des Unternehmens hat Porotech eine Seed-Runde von 1,5 Millionen Pfund erhalten. Die diesmal gesammelten 3 Millionen Pfund werden verwendet, um den neuen Prozess zur Integration von InGaN RGB-Mikro-LEDs zur Entwicklung von Vollfarb-Mikrodisplays zu erweitern.


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