Es ist noch ein langer Weg, um die externe Quanteneffizienz zu verbessern
Zuvor hatte das französische Halbleitermaterialunternehmen Soitec, das InGaN-basierte rote Mikro-LED-Chips in Massenproduktion herstellen kann, im Jahr 2020 rote Mikro-LED-Geräte auf InGaN-Basis mit 50 Mikron auf den Markt gebracht. Shubhra Pasayat, Sprecher des UCSB-Teams, wies darauf hin, dass Soitec keine Daten zur externen Quanteneffizienz veröffentlicht wurden.
Pasayat sagte, dass Micro-LEDs, die kleiner als 10 Mikrometer sind, für die wirtschaftliche Kommerzialisierung der Micro-LED-Industrie von entscheidender Bedeutung sind. Gleichzeitig muss zusätzlich zu der geringen Größe der externe Quantenwirkungsgrad des Micro-LED-Chips mindestens 2-5% betragen, um die Anforderungen der Micro-LED-Anzeige zu erfüllen.
Die externe Quanteneffizienz des von UCSB angezeigten roten Micro-LED-Chips auf InGaN-Basis beträgt diesmal jedoch nur 0,2%. In diesem Zusammenhang sagte Pasayat offen, dass die aktuellen Forschungsergebnisse des Teams zwar weit vom Ziel entfernt sind, die einschlägigen Forschungsarbeiten jedoch in die Vorstufe eingetreten sind und in Zukunft substanzielle Fortschritte zu erwarten sind.
Das nächste Ziel des UCSB-Teams ist die Verbesserung der externen Quanteneffizienz des Rotlicht-Micro-LED-Chips. Derzeit ist geplant, die Qualität der Materialien zu verbessern und die Produktionsschritte zu verbessern.
